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NTBG040N120M3S 40mΩ 碳化硅 MOSFET

onsemi 的 M3S MOSFET 通过 18 V 栅极驱动实现峰值效率，并在 15 V 下保持令人满意的性能

onsemi 的 NTBG040N120M3S 40 mΩ SiC MOSFET 图片onsemi 1200 V M3S 碳化硅 (SiC) MOSFET 利用平面技术在负栅极电压和瞬态栅极电压偏移下实现稳健运行。它通过 18 V 栅极驱动实现峰值效率，但在 15 V 下保持令人满意的性能。

特性
  • 具有开尔文源极配置的 D2PAK-7L 封装
  • 优秀的品质因数 (FOM) (= RDS(ON) x EOSS)
  • 超低栅极电荷 (QG(tot) = 75 nC)
  • 低电容高速开关 (Coss = 80pF)
  • 15 V 至 18 V 栅极驱动
  • M3S 技术：40 mΩ RDS(ON)，低 EON 和 EOFF 损耗
  • 100% 通过雪崩测试
  • 无卤素且符合 RoHS 规范
应用
  • 工业

NTBG040N120M3S 40 mΩ SiC MOSFET

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SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - ENTBG040N120M3SSILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E734 - 立即发货$107.71查看详情
发布日期： 2024-02-08