MMRF5017HS 射频功率 GaN 晶体管

NXP 的 MMRF5017HS 高增益和高坚固性使该器件非常适合用于连续波、脉冲和宽带射频应用

NXP 的 MMRF5017HS 射频功率 GaN 晶体管图NXP 的 MMRF5017HS 125 W 射频功率 GaN 晶体管能够在 30 MHz 至 2200 MHz 的宽频带内工作,非常适合用于连续波、脉冲和宽带射频应用。对于工作在 30 MHz 至 2200 MHz 频段的应用,提供性能保证。

特性    
  • 先进的 GaN on SiC 技术,实现了高功率密度
  • 十年带宽性能
  • 输入匹配,以扩展宽带性能
  • 高坚固性:> 10:1 VSWR
  • 符合 RoHS 规范
应用  
  • 公共移动无线电,包括应急服务无线电
  • 工业、科技和医疗 (ISM)
  • 宽带实验室放大器
  • 无线蜂窝基础设施

MMRF5017HS RF Power GaN Transistor

图片制造商零件编号描述可供货数量价格查看详情
RF MOSFET HEMT 50V NI400MMRF5017HSR5RF MOSFET HEMT 50V NI4001 - 立即发货$1,799.16查看详情
发布日期: 2018-07-25