ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

DDR4 DRAM

ISSI 的 4 Gb DRAM 采用 96 球 BGA 封装，提供长生命周期支持和世界一流的品质

ISSI DDR4 SDRAM 的图片ISSI 的 4 Gb DDR4 器件采用 256 Mb x 16 封装，采用 96 引脚 BGA 封装，工作电压为 1.2 V。ISSI 的 DDR4 提供先进的网络、汽车和工业系统所需的低功耗、高带宽、高性能和高可靠性。这是 ISSI 的第一款 DDR4 DRAM，为 ISSI 广泛的 DRAM 选择再添成员。ISSI 提供的 DDR4 附带汽车、工业、通信和其他细分市场客户应用所需长生命周期产品支持。

特性
  • 标准电压：VDD = VDDQ = 1.2 V、VPP = 2.5 V
  • 数据完整性
    • DRAM 内置 TS 自动刷新 (ASR)
    • 自动刷新和自刷新模式
  • DRAM 存取带宽
    • 存储体组单独 IO 门控结构
    • 自刷新中止
    • 细粒度刷新
  • 可靠性和错误处理
    • 命令/地址奇偶校验
    • 数据总线写 CRC
    • MPR 读出
    • 边界扫描 (x16)
  • 节电和效率
    • POD 与 VDDQ 终止
    • 命令/地址延迟 (CAL)
    • 最大功率节省
    • 低功耗自刷新 (LPASR)
 
  • 信号同步
    • 通过 MR 设置实现写入均衡
    • 通过 MPR 读取均衡
  • 信号完整性
    • 内部 VREFDQ 训练
    • 读取前引 (read preamble) 训练
    • 减速模式
    • 每个 DRAM 可寻址性
    • 可配置的 DS，用于系统兼容性
    • 可配置的片内端接
    • 数据总线反转 (DBI)
    • 通过外部 ZQ 焊盘（240 欧姆 ±1%）进行 DS/ODT 阻抗精度的 ZQ 校准
  • 工作温度范围
    • 商用（Tc = 0°C 至 +95°C）
    • 工业（-40°C 至 +95°C）
    • 汽车，A1（Tc = -40°C 至 +95°C）
    • 汽车，A2（Tc = -40°C 至 +105°C）
    • 汽车，A3（Tc = -40°C 至 +125°C）
应用
  • 汽车
    • 信息娱乐系统
    • 远程信息处理
    • 驾驶员信息系统
  • 工业
    • 人机界面 (HMI)
    • 嵌入式计算
 
  • 电信/网络
    • SDN 和 NFV
    • 接入和聚合节点
    • 交换机和路由器
    • 数据包光传输
    • 网络存储 (PON OLT、DSLAM、CMTS 和无线)

DDR4 DRAM

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发布日期： 2019-08-14