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工业和扩展测试级 DDR3/3L SDRAM
Insignis 的 DDR3/3L SDRAM 器件采用了其专有的扩展测试流程，可确保在升高的结温下工作
这些工业和扩展测试级器件属高速 DDR3/3L 同步 DRAM，通过了 Insignis 专有的扩展测试流程，减少了早期故障，并具有确保工业用途的优质质量和长期可靠性。该芯片设计符合所有 DDR3L DRAM 的关键特性，包括与 DDR3 的完全向后兼容性，唯一的例外是 1 Gb DDR3 零件和 1 Gb DDR3L 零件之间所需的电压。所有控制和地址输入都与一对外部提供的差分时钟同步。输入在差分时钟的交叉点（CK 上升和 CK# 下降）被锁定。所有 I/O 均可以源同步方式与差分 DQS 对同步。
所有 2 Gb DDR3 零件均由 2 Gb DDR3L 覆盖。2 Gb DDR3 和 DDR3L 零件采用 +1.35 V 至 0.067 V/+0.1 V 单电源供电。1 Gb DDR3 零件的所需电压为 1.5 V，而 1 Gb DDR3L 零件的所需电压为 1.35 V。所有零件均可采用 BGA 封装。
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发布日期： 2018-10-09
