Infineon Technologies

CoolSiC™ G2 1200 V 碳化硅 MOSFET 分立器件

Infineon 的 CoolSiC G2 MOSFET 可加速系统设计，实现成本优化、高效、紧凑且可靠的解决方案

Infineon CoolSiC™ G2 1200V 碳化硅 MOSFET 分立器件图片Infineon 碳化硅 (SiC) CoolSiC MOSFET 采用最先进的沟槽半导体工艺制造，该工艺经过优化，可实现应用中的最低损耗和最高的运行可靠性。分立式 CoolSiC MOSFET 产品组合包括 650 V、750 V、1200 V、1700 V 和 2000 V 电压等级，导通电阻额定值从 7 mΩ 至 1000 mΩ。CoolSiC 沟槽技术可实现灵活的参数集，以在各自的产品组合中实现特定于应用的功能，例如栅极-源电压、雪崩规范、短路能力或用于硬换向的内部体二极管。

CoolSiC 1200 V 系列第二代采用 D²PAK-7L（TO-263-7）封装，适用于工业应用。它以第一代技术的优势为基础，显著提高了硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数，适用于所有常见的 AC/DC、DC/DC 和 DC/AC 级组合。

REF-DR3KIMBGSIC2MA SiC 参考设计由两块 PCB 组成，包括一个驱动电路和一个用于伺服电机和驱动器的三相逆变器。其优点包括高功率密度、无需冷却风扇的被动冷却，以及 PCB 直径仅为 110 毫米的超小占用空间。

CoolSiC G2 与 G1 的比较

  • 芯片性能提升：与典型负载使用情况相比，功率损耗降低 5% 至 20%
  • 改进的 .XT 封装互连：热阻 Rth(jc) 改善 12%
  • 优秀的 RDS(on) 以及精细的产品组合：G2 为 8 mΩ，而 G1 为 30 mΩ，12 种产品可实现最佳产品选择
  • 过载工作可达 Tvj = 200 和 G2 中的雪崩鲁棒性
  • 最大 RDS(on) G2 高温下
  • 稳健的短路额定值：2 µs
  • 扩大最大栅源电压：-10 V 至 +23 V
  • 高可靠性：保持 G1 认证水平，极低的 DPM 率
特性与优势
  • 最高效率，减轻了冷却需求
  • 使用寿命更长，可靠性更高
  • 更高工作频率
  • 降低了系统成本
  • 功率密度更高
  • 降低系统复杂度
  • 易于设计和实施
应用
  • 服务器
  • 电信
  • 电机驱动
  • 板载充电器/PFC
  • 辅助逆变器
  • UPS
  • 储能系统/太阳能
  • 电动汽车快速充电
  • 开关模式电源

CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide MOSFET Discretes

图片制造商零件编号描述可供货数量价格查看详情
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发布日期： 2024-04-10