UMOS9 DPAK MOSFET

Toshiba 出品基于下一代 U-MOS IX-H 沟槽工艺的 MOSFET,能在所有负载条件下实现高能效

Toshiba UMOS9 DPAK MOSFET 图片Toshiba 扩充了其超高能效、低电压系列 MOSFET 产品,为公司的现有产品线新增 40 V 和 60 V 器件。所有这些器件均提供 DPAK 封装选择。这种封装可实现低导通电阻、低 QOSS,进而提升基站、服务器或工业设备中开关模式电源的能效。

这些新型 N 沟道 MOSFET 包括 40 V 和 60 V 器件,基于 Toshiba 的下一代 U-MOS IX-H 沟槽式半导体工艺。这种工艺旨在通过降低导通电阻 (RDS(ON)) ,以及通过减小输出电荷 (QOSS) 提升开关效率,最终在各种各样的负载条件下拥有业内一流的能效。

MOSFET 有助于设计人员减少各种电源管理电路的损耗和板空间,包括 DC-DC 转换中的低压侧开关电路及 AC-DC 设计中的次级侧同步整流电路。这些技术也非常适合用于电机控制,以及基于锂离子 (Li-ion) 电池的电子设备中保护电路。

特性 应用
  • 低漏源导通电阻
  • 低输出充电(漏源电容充电)
  • DPAK 封装 (6.54 mm x 10.14 mm x 2.3 mm)
  • 服务器和基站电源
  • 高能效 DC-DC 转换器
  • 开关稳压器

UMOS9 DPAK MOSFETs

图片制造商零件编号描述不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)_613不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)_612可供货数量View Details
TK3R1P04PL,RQ datasheet linkMOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAKTK3R1P04PL,RQMOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAK60nC @ 10V3.1 毫欧 @ 29A, 10V4945 - 立即发货
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TK4R4P06PL,RQ datasheet linkMOSFET N-CHANNEL 60V 58A DPAKTK4R4P06PL,RQMOSFET N-CHANNEL 60V 58A DPAK48.2nC @ 10V4.4 毫欧 @ 29A, 10V4913 - 立即发货
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TK6R7P06PL,RQ datasheet linkMOSFET N-CHANNEL 60V 46A DPAKTK6R7P06PL,RQMOSFET N-CHANNEL 60V 46A DPAK26nC @ 10V6.7 毫欧 @ 23A, 10V1722 - 立即发货
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发布日期: 2017-09-20