Toshiba 完全集成的 40 V 至 50 V、1.5 A 至 3 A 和 1/32 微步进步进电机驱动器具有步进驱动增强功能。
Toshiba 的 TMPM3HxF10x Arm® Cortex®-M3 微控制器 PMD 电路可以与高精度 ADC 同步运行,从而控制交流电机和无刷电机。
采用 L-TOGL 封装的东芝 AEC-Q N 沟道功率 MOSFET 可实现超低导通电阻、高漏极电流额定值和高散热性。
Toshiba 的 SSM10N954L 12 V 低导通电阻共漏极 MOSFET 对电池驱动设备有帮助。
Toshiba 的 650 V TO-220 N 沟道 DTMOS VI 系列功率 MOSFET 有助于提高电源效率。
Toshiba 的 TLP223GA 和 TLP223J 光继电器,适用于输出端电压高达 400 V 和 600 V 的高温和低输入功率电源线。
Toshiba 的 TCK12xBG 系列是超低静态电流负载开关,采用小型 0.645 mm x 0.645 mm WCSP4G 封装,输出电流为 1 A。