ISSI 的 LPDDR4/4X 移动版 SDRAM 使用双倍传输速率架构来实现高速工作,具有 2 Gb、4 Gb 和 8 Gb 密度。
ISSI 的 IS34ML/MW SLC NAND 闪存器件为嵌入式市场提供串行和并行 NOR 产品,并提供快速读写功能。
Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI) 宣布已启动了其汽车级串行 (SPI) 和并行 SLC NAND 闪存的抽样生产装置。
ISSI 的 IS43LD16640C/32320C 是 1 Gbit CMOS LPDDR2 DRAM,其结构为 8 个 16 位 8 兆字存储体或者 32 位 4 兆字存储体。
ISSI 的 IS31FL3733/36/37 IC 支持单个 LED 照明控制,用于创建一种可配置的彩色动态阵列视觉效果,并具有故障报告功能。
来自 ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) 的高速动态随机存取存储器内部配置为十六个存储体。
Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI) 提供其 IS32LT3175 多功能 AEC-Q100(汽车电子委员会)认证的线性 LED 驱动器,降低了 BOM 元件数量,适用于低成本、紧凑的设计。
ISSI 提供其带有嵌入纠错码 (ECC) 的 IS46TR16640ED、1 Gb DDR3 DRAM,能够在运行中检测并纠正位误差。
ISSI 的 IS61WV1024/204816BLL 是高速 16 Mb/32 Mb 静态 RAM,以 16 位 2048 K/1024K 字的形式组织。
ISSI 提供多芯片封装 (MCP)(集成了 512 Mb LPDDR2 DRAM 和 1.8 V 128 Mb QSPI 闪存)和 168 焊球 PoP BGA 封装。
ISSI 提供从 1 Gb 至 8 Gb 的 DDR3/DDR3L 密度范围,适合汽车、工业和商业温度范围。 这些产品非常适合网络和嵌入式应用。