第 4 代超级结 600 V、650 V 和 800 V DTMOS IV MOSFET 系列

Toshiba 的第 4 代超级结 MOSFET 系列通过使用单一外延工艺,在高温度条件下具有更低的导通电阻

Toshiba 的第 4 代超级结 MOSFET 系列图片Toshiba 开发出第 4 代超级结 600 V、650 V 和 800 V DTMOS IV MOSFET 系列。相比其上一代 DTMOS III,DTMOS IV 采用了先进的单一外延工艺制造,MOSFET 品质因数 (FOM) 导通电阻·A 降低了 30%。导通电阻·A 的降低使该器件可在同一封装中容纳更低导通电阻的芯片。这有助于提高效率和减少电源的尺寸。

特性
  • 相比其前代 (DTMOS III) 导通电阻 A 减小 30%
  • 通过使用单一外延工艺,在高温度条件下导通电阻更低
  • 相比前一代产品 (DTMOS III) 由于 Coss 的下降而使得开关损耗 Eoss 减少 12%
  • 提供 0.9 Ω 至 0.018 Ω(最大值)的宽范围导通电阻 RDS(ON)
  • 各种不同的封装选择
    • 通孔式:TO-220、TO-220SIS、IPAK、I2PAK、TO-3P(N)、TO-3P(L)、TO-247
    • 表面贴装:DPAK、D2PAK
应用
  • 通信设备电源
  • 服务器
  • UPS
  • 液晶电视
  • 台式 PC
  • 适配器
  • LED 照明
  • 电焊机
  • 打印机
  • 太阳能逆变器

Gen-4 Super-Junction MOSFET Series

图片制造商零件编号描述可供货数量View Details
TK10A80W,S4X datasheet linkMOSFET N-CH 800V 9.5A TO220-3TK10A80W,S4XMOSFET N-CH 800V 9.5A TO220-3388 - 立即发货
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TK12A80W,S4X datasheet linkMOSFET N-CH 800V 11.5A TO220-3TK12A80W,S4XMOSFET N-CH 800V 11.5A TO220-3398 - 立即发货
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发布日期: 2017-03-28