NTMFS5H4xx 功率 MOSFET - onsemi

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            NTMFS5H4xx 和 NTMFS5H6xx 功率 MOSFET
  
                    onsemi 推出功率 MOSFET，提供低至 0.8 mΩ 的 RDS(ON) 值

onsemi NTMFS5H4xx 和 NTMFS5H6xx 40 V 和 60 V 功率 MOSFET 提供低至 0.8 mΩ 的 R_DS(ON) 值，能显著地降低传导损耗并提升总体工作效率水平。这些器件还具有非常低的 Q_G 和输入电容，可确保驱动器损耗保持在尽可能低的水平。这些器件均采用小型基底面 SO8FL 封装。

特性		应用
小型基底面 SO8FL (5 x 6) 封装次 mΩ 级 R_DS(ON) 将传导损耗降至最低 60 V：1.3 mΩ @ 10 V（最大值）至 1.7 mΩ @ 4.5 V（最大值） 40 V：1.1 mΩ @ 10 V（最大值）至 1.6 mΩ @ 4.5 V（最大值）低 Q_G 和电容将驱动损耗降至最低 60 V：40 nC @ 4.5 V_GS（典型值）至 89 nC @ 10 V_GS（典型值） 40 V：41 nC @ 4.5 V_GS（典型值）至 89 nC @ 10 V_GS（典型值）进一步提升了开关参数 60 V：t_RR 72 ns（典型值） 40 V：t_RR 59 ns（典型值）		高能效 DC-DC 转换初级侧 MOSFET 次级同步整流降压稳压器高能效 AC-DC 转换次级同步整流网络/电信服务器 AC 适配器手持电动工具