PMV50XP 20 V、P 通道沟槽式 MOSFET
NXP 的 PMV50XP 20 V、P 通道沟槽式 MOSFET 具有 1096 mW 增强型功率耗散能力
NXP 提供其采用沟槽式 MOSFET 技术的 P 通道、增强模式场效应晶体管 (FET),其封装为小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
优势
- 低阈值电压
- 1096 mW 增强型功率耗散能力
- 低导通电阻
- 沟槽式 MOSFET 技术
应用
- 继电器驱动器
- 高速线路驱动器
- 高压侧负载开关
- 开关电路
P-Channel Standard FET
更新日期: 2017-08-08
发布日期: 2015-09-21