ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

MCP 存储器解决方案

ISSI 提供的 MCP 将 512 Mb LPDDR2 DRAM 与 128 Mb 串行 NOR 闪存集成到一个芯片上

ISSI 的 MCP 存储器解决方案ISSI 的 MCP 解决方案在小而一致的基底面内组合了高性能 LPDDR2 DRAM 和串行 NOR 闪存，使功能丰富的低功耗应用实现了微型化。

LPDDR2 DRAM 特性 串行闪存特性
  • 密度：
    • 256 Mb
    • 512 Mb
    • 1 Gb
  • 低电压内核和 I/O 电源
  • VDD2：1.2 V
  • VDDCA/VDDQ：1.2 V
  • VDD1：1.8 V
  • 可选择 x16 或 x32
  • 高速、未端接逻辑 (HSUL_12) I/O 接口
  • 时钟频率为 10 MHz 至 533 MHz（每个 I/O 的数据速率为 20 Mbps 至 1066 Mbps）
  • 四位预取 DDR 架构
  • 多路复用，双数据速率，指令/地址输入
  • 四个或八个内部存储体，用于支持并发操作
  • 每个字节的数据均进行双向/差分数据选通 (DQS/DQS#)
  • 可编程读/写延迟 (RL/WL)，猝发长度为 4、8 或 16
  • ZQ 校准
  • 片载温度传感器，用于控制自刷新率
  • 局部阵列自刷新 (PASR)
  • 深度省电模式 (DPD)
  • 64 Mb 或 128 Mb
  • 行业标准串行接口
  • VDD = 1.8 V
  • 每可编程页 256 字节
  • 支持标准 SPI、快速、双通道、双通道 I/O、四通道、四通道 I/O，SPI DTR、双通道 I/O DTR、四通道 I/O DTR 和 QPI
  • 支持串行闪存可发现参数 (SFDP)
  • 50 MHz 正常读取和 133 MHz 快速读取
  • 532 MHz 同等 QPI
  • 双通道传输速率 (DTR) 高达 66 MHz
  • 可选择虚拟周期
  • 可配置驱动强度
  • 擦除/编程次数超过 100,000 次
  • 数据保存期超过 20 年
  • 统一的芯片擦除：扇区/块擦除（4/32/64 KB）
  • 每页编程 1 至 256 字节
  • 编程/擦除、挂起和恢复
  • 低指令开销操作
  • 连续读取 8/16/32/64 字节猝发
  • 可选择的猝发长度
  • 采用 QPI 技术，减少了指令开销
  • 自动引导运行
温度等级   封装
  • 商业级：0°C 至 70°C
  • 工业级：-40°C 至 85°C
  • 汽车 A1 级：-40°C 至 85°C
  • 汽车 A2 级：-40°C 至 105°C
  • 汽车 A25 级：-40°C 至 115°C
  
  • 168 焊球 PoP BGA
  • 一致的基底面，包含密度迁移

MCP Memory Solutions

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IC FLASH RAM 128MBIT PAR 168BGAIS71LD32160WP128-25BPLIIC FLASH RAM 128MBIT PAR 168BGA0 - 立即发货See Page for Pricing查看详情
发布日期： 2015-12-02